Technology
技術・設計
Multilayer board 先進の技術「多層基板」
バックドリル基板
バックドリル加工により不要なスルーホールスタブを取り除くことで、
信号の乱れ解消や、減衰量の低減を図ることが可能です。
この事より、より優れた高速伝送基板を提供いたします。
ハイブリッド多層基板
異種材料を組み合わせた多層基板の製造が可能です。
この事より、仕様用途に最適且つコストメリットのある多層基板を提供できます。
特に高周波用途として有効となり5G関連基板で実績があります。
極小径VIA高多層基板
板厚が厚い高多層基板においても極小径の導通VIA形成が可能です。
この事より、配線密集度の高い最先端の高多層基板を提供できます。
部分金めっき
部分的に金めっき処理を行う事が可能です。
又、各種様々な表面処理の基板提供ができます。
金属キャビティー基板
金属板との組み合わせにより、放熱効果にすぐれた多層基板を提供できます。
銅インレイ基板(銅コイン)
放熱対策へのソリューション(更なる放熱効果・設計自由度向上)
高放熱素子の放熱対策として 2層から高多層基板までの様々な銅インレイ基板をご採用いただけます。
5G対応部品の放熱に採用されている構造です。
Device board 先進の技術「デバイス基板」
特殊貼り合わせ基板
デバイス用プリント配線板は、デバイスの小型化や製品個別の実装方法に合わせたプリント配線板の構造が求めれられます。
当社では、各種貼り合わせ構造により、ご要望に応じた特殊構造のプリント配線板をご提供することが可能です。
特徴
・ダム用途、嵩上げ等の用途として、ご要望の高さの基材枠を貼りつけることが可能です。
・TH上への実装用途、樹脂の裏面への垂れ込み防止として銅箔貼り合わせ構造が可能です。
・特殊3層構造の対応が可能です。
基材貼り合わせ基板断面
銅箔貼り合わせ基板断面
特殊3層基板断面
部分エッチングスルーホール基板
デバイス基板では、部品実装後にスルーホールを半分に切断することで、半田付け電極として使う場合がありますが、ダイシングなどでスルーホールの銅めっきを切断するとバリの発生が避けられません。
当社では、スルーホールの切断部分の銅だけをエッチング除去することで、ダイシング時に銅バリが発生しないスルーホール基板が可能です。
特徴
・基材厚0.04~0.1tまで対応可能です。
・各種使用用途にあわせた様々な基板材料対応
段差パターン基板
プリント配線板の銅配線の一部に凹凸をつけることで、部品で使用されるデバイス用途の基板において、
高さの調節や構造による機能を付与することができます。
特徴
・銅箔の種類により、段差量を25μm、50μmなど任意の高さへ調整可能です。
・同一面内に導体厚が厚い個所と導体を薄くし細線パターン部の形成も可能です。
段差断面
段差
段差断面
薄板曲げ基板
薄板曲げ基板は、板厚0.1mmt以下の薄板ガラスエポキシ基板(FR-4)を用いることで、
数回の折り曲げや、組み立て時などの曲げのみで使用されている
フレキシブル基板の代替となる基板です。
特徴
・曲げ半径R1.5で、1,2回の折り曲げ対応可能。(パターン形状にもよります)
・外形加工はルーター加工が対応可能なため、フレキシブル基板で必要な金型が不要になります。
・片面及び両面対応可能
シリコーン埋め込み基板
LED素子を実装する基板の細かい回路間を反射率の高いシリコーンインクで埋めることで樹脂機材の劣化を抑え、光の反射を有効に活用できる基板の製造が可能です。
また、段差プロセスにより銅箔の高さを変えることで回路上にもシリコーンインクを形成することができます。
特徴
・一般的なソルダーレジストによる回路間への埋め込みレジスト対応も可能です。
・回路とレジスト高さを同等レベルまで合わせることが可能です。(表面処理分に高低差は発生)
段差埋め込み断面
ドライフィルムテンティング基板
プリント配線板の層間接続に必要な貫通スルーホールは、実装工程においてフラックスの流れ込みやモールド樹脂の流れ込みなどが発生することから、スルーホールを塞ぐご要望があります。
当社では、ドライフィルムタイプのソルダーレジストを用いて、ご要求のあるスルーホール表面へのテンティングが可能です。
特徴
・50μm厚のドライフィルムを使用することで、スルーホール内への充填対応も可能です。
・表面のソルダーレジストとスルーホール部のテンティングが同時形成可能です。
Prototype CAD設計・試作実装
SI解析
信号スピードの高速化に伴い、ノイズ等の影響が無視できなくなってきました。
伝送線路解析を実施することで、設計段階から対策を行う事が可能となります。
EMI対策・PI解析
EMIルールチェック
アートワークデータから、EMIに関する項目をチェックします。
プレーン共振解析
電源、GNDプレーンの形状から共振状態を解析します。
インピーダンス解析
電源、GNDプレーンの形状からインピーダンスを解析します。
プレーン共振解析
共振している箇所を中心に、コンデンサ追加、位置変更などを検討します。
インピーダンス解析
ICへ電力供給した際の影響が、プレーンの別の場所へどの程度の影響を及ぼすかを解析します。
インピーダンスが高い場所のICへは正常に電力供給がされない(正常に動作しない)危険がありますので、
インピーダンスを低く抑える必要があります。
※右図の例では、IC-Aへ電力供給した際の影響で、IC-B周辺のインピーダンスが高くなっています。
(赤で表示=インピーダンス高)